Ru | En

Новая серия радиационностойких MOSFET транзисторов производства компании Fuji Electric

« Назад

Новая серия радиационностойких MOSFET транзисторов производства компании Fuji Electric 22.02.2017 06:00

2017.02.22 SDS_Fuji

Общее описание:

Японская компания Fuji Electric анонсировала выпуск новой серии радиационно-стойких MOSFET транзисторов на основе технологии Super Junction.  В настоящее время проходит завершающая стадия квалификации этих изделий. Первые образцы будут доступны для заказчиков уже в мае.

Заказчики получат возможность выбрать изделие в любом корпусе: от самого маленького SMD-0.5 до самого большого TO-257. Кроме того, изделия будут отличаться высокой радиационной стойкостью: параметр SEL (single event latch up) будет на уровне не ниже 75 МэВ·см2/мг, а стойкость к накопленной дозе радиации не менее 100 крад. По всем параметрам новые транзисторы будут на уровне лучших аналогов других производителей.

На первом этапе будут выпущены изделия с рабочим напряжением 250 и 600 В.

Технические характеристики:

  • LET SEL, не менее – 75 МэВ·см2/мг
  • рабочее напряжение – 250 и 600 В
  • сопротивление открытого канала – 29 мОм
  • максимальный ток стока – 60 А

Применение:

Силовые ключи в системах электропитания бортовой аппаратуры космических аппаратов.

Компания SD Solutions является официальным дистрибьютором и квалифицированным поставщиком изделий Fuji Electric российским заказчикам. Получить любую информацию о номенклатуре, технических характеристиках и применении всех изделий производства Fuji Electric Вы можете, обратившись к специалистам SD Solutions по телефону или электронной почте.

При использовании материалов сайта ссылка на сайт SD Solutions обязательна.