Ru | En

Новый серийный GaN транзистор X-диапазона производства компании Sumitomo

« Назад

Новый серийный GaN транзистор X-диапазона производства компании Sumitomo 18.12.2015 03:00

Sumitomo SGC8598-200A-R

SGC8598-200A-R

Компания Sumitomo Electric Industries, ведущий японский производитель СВЧ компонентов, представила транзистор IMFET для X-диапазона на основе нитрида галлия. Изделие предназначено для высокомощных и радарных применений. Новый внутрисогласованный GaN HEMT-транзистор обеспечивает более 200 Вт выходной мощности в импульсном режиме в диапазоне частот от 8,5 до 9,8 ГГц. Серийное производство изделия запущено на базе технологического процесса GaN Sumitomo, корпусировка также осуществляется на собственном производстве, что гарантирует неизменное высокое качество изделий при любых объемах производства. Применение таких транзисторов за счет высокой мощности позволит снизить общее количество элементов в системе и повысить, таким образом, надежность при снижении массогабаритных показателей.

Технические характеристики:

  • Частотный диапазон: 8,5-9,8 ГГц
  • Коэффициент усиления: 10 дБ
  • Внутреннее согласование для 50-омных цепей
  • Выходная мощность: 200 Вт
  • КПД: 38%
  • Напряжение питания: 50 В
  • Корпус: металлокерамический, 17,4 мм × 24,0 мм.

Техническое описание изделия доступно по ссылке: SGC8598-200A-R.

Все вопросы по изделиям производства Sumitomo Вы можете задать специалистам нашей компании по телефону или электронной почте.