Ru | En

Новые радиационностойкие LVDS преобразователи для высокоскоростной передачи данных от компании STMicroelectronics

« Назад

Новые радиационностойкие LVDS преобразователи для высокоскоростной передачи данных от компании STMicroelectronics 01.08.2018 06:00

2018.08.01 SDS_STM

Компания STMicroelectronics представила для рынка высоконадежных применений пару ИС параллельно-последовательного и последовательно-параллельного преобразователей стандарта LVDS (Low-Voltage Differential Signaling). Микросхема RHFLVDS217 служит для преобразования данных 21-разрядной параллельной шины CMOS/TTL-уровней в 3 последовательных потока данных LVDS, совместимых с протоколами ANSI/TIA/EIA-644 плюс один тактовый сигнал. Микросхема RHFLVDS218 выполняет обратную функцию: преобразование потоков данных LVDS в 21-разрядную параллельную шину. Широкий динамический диапазон синфазного напряжения стандарта LVDS и малая потребляемая мощность позволяют использовать эти микросхемы для построения высокоскоростных линий обмена данными между отдельными блоками бортового оборудования космического аппарата. Пропускная способность интерфейса LVDS составляет 1,5 Гбит/с при тактовой частоте работы микросхем передатчика и приемника 75 МГц. Для защиты ИС и предотвращения искажения передаваемых данных все выводы RHFLVDS217 и RHFLVDS218 снабжены «буферами холодной замены» (Cold-spare buffers), переводящими выводы в высокоимпедансное состояние при пропадании питающего напряжения. Также микросхемы имеют защиту от электростатического разряда напряжением до 8 кВ, радиационную стойкость к накопленной дозе на уровне 300 крад и стойкость к ТЗЧ на уровне 120 МэВ*см2/мг.

Технические характеристики:

  • Диапазон рабочих напряжений питания микросхем: 2,7…3,6 В;
  • Тактовая частота работы передатчика и приемника: 15…75 МГц;
  • Пропускная способность интерфейса LVDS: 1,5 Гбит/с;
  • Амплитуда LVDS сигнала: 325 мВ (типовое значение);
  • Ток потребления в дежурном режиме (Power-down): 216 мкА;
  • Стойкость к электростатическому разряду:
    • 8 кВ (выводы LVDS);
    • 2 кВ (остальные выводы);
  • Стойкость к накопленной дозе радиации: 300 крад;
  • Стойкость к ТЗЧ: 120 МэВ*см2/мг (LET);
  • Диапазон рабочих температур: -55 … +125 °С.

Применение:

Организация высокоскоростных интерфейсов обмена данными между отдельными блоками бортового оборудования космических аппаратов и ракет-носителей.

Получить дополнительную информацию о номенклатуре, технических характеристиках и применении изделий производства компании STMicroelectronics Вы можете, обратившись к специалистам нашей компании по телефону или электронной почте.