Ru | En

Технологический процесс GH25-10 компании UMS на основе GaN квалифицирован для производства ИС космического применения

« Назад

Технологический процесс GH25-10 компании UMS на основе GaN квалифицирован для производства ИС космического применения 29.11.2017 09:00

2017.11.29 SDS_UMS

Компания UMS, ведущий европейский производитель СВЧ МИС, в сентябре 2017 года сообщила, что технологический процесс GH25-10 на основе нитрида галлия был успешно квалифицирован Европейским Космическим Агентством и включен в перечень предпочтительных европейских производителей, процессов и изделий для применения в космических аппаратах.  Документ ЕКА, содержащий последние обновления о технологических процессах и изделиях, квалифицированных для применения в космических аппаратах, доступен по ссылке: https://escies.org/download/webDocumentFile?id=65824.

Исследования надежности и квалификационные испытания технологического процесса проводились совместно с Европейским Космическим Агентством, Министерством Обороны Франции и Национальным Центром Космических Исследований (CNES, Франция).

В данном технологическом процессе формирование топологии схемы реализуется эпитаксиальным ростом слоя нитрида галлия на подложке из карбида кремния, применяется технология транзисторов с высокой мобильностью электронов (High Electron Mobility Transistor) с топологической нормой 0,25 микрон. Процесс подходит в первую очередь для высокомощных применений в частотном диапазоне до 20 ГГц, но также, обладая малым уровнем собственных шумов, он может использоваться для построения малошумящих усилителей и малосигнальных схем.

Кроме СВЧ МИС технологический процесс GH25-10 используется для производства следующих типов компонентов - прецизионных резисторов на основе TaN, высокоомных резисторов TiWSi, конденсаторов металл-изолятор-металл (MIM), индуктивностей, воздушных мостов, сквозных отверстий через подложку и два металлических слоя для организации межслойных соединений и переходов.

Технические характеристики технологического процесса GH25-10:

  • Плотность мощности: 4,5 Вт/мм;
  • Пороговое напряжение Vp: -3,5 В;
  • Ток насыщения Idss: 0,86 А/мм;
  • Максимальный ток Ids+: 1 А/мм;
  • Крутизна характеристики Gm: 290 мС/мм;
  • Пробивное напряжение Vbds: >100 В;
  • Рабочее напряжение VdsDC: 30 В;
  • Рабочая частота Ft: до 30 ГГц;
  • Граничная частота Fmax: более 50 ГГц;
  • Плотность емкости MIM: 255 пФ/мм2;
  • Металлические резисторы: от 30 до 1000 Ом на пластину;
  • Сквозные отверстия: доступны при толщине слоя 100 микрон;
  • Толщина пластины: 100 микрон;
  • Диаметр пластины: 100 мм.

Для проектов foundry (изготовление СВЧ МИС по топологии заказчика) проектирование по техпроцессу GH25 доступно в двух системах - ADS от Keysight и MWO от NI-AWR. В системах доступны нелинейные масштабируемые электро-, термо- и трехмерные модели для полного цикла проектирования и моделирования, включая электромагнитную симуляцию и проверку соблюдения проектных норм (Design Rule Check).

Компания SD Solutions является официальным дистрибьютором и квалифицированным поставщиком изделий и услуг foundry компании UMS российским заказчикам.

Все вопросы по изделиям производства компании UMS, а также запросы на системы проектирования и технические описания Вы можете направить специалистам нашей компании по телефону или электронной почте.