Ru | En

Sumitomo

group-name

Япония, 1897 г.
www.sedi.co.jp/?version=en

Корпорация Sumitomo Electric Industries была основана в 1897 году, объединяет 325 компаний в 30 странах мира. Sumitomo Electric Device Innovations – подразделение, занимающееся производством монолитных СВЧ МИС, как малосигнальных, так и мощных в диапазоне частот от 0 до 100 ГГц.

Компания разрабатывает и производит СВЧ ИМС по технологическим процессам GaN и GaAs. Основные области применения: аэрокосмическая отрасль, телекоммуникации, радарное применение. Изделия сертифицированы на соответствие военным стандартам MIL-PRF-19500, MIL-STD-750, MIL-STD-883, проведены испытания космического уровня качества. Система управления качеством компании соответствует требованиям стандартов ISO9001, JIC Q 9100.

Продукция
Номенклатура выпускаемых Sumitomo изделий включает в себя:

Мощные GaN транзисторы

  • GaN транзисторы для спутниковой и наземной связи 6-15 ГГц;
  • GaN транзисторы для базовых станций 0-3,7 ГГц;
  • GaN транзисторы для радарных применений C/X диапазона;
  • GaN транзисторы для радарных применений L/S диапазона;
  • GaN составные транзисторы для радарных применений 2,9-3,5 ГГц;
  • GaN транзисторы общего назначения 0-3,5 ГГц.

Мощные изделия на основе GaAs

  • GaAs УМ в корпусе 3-30 ГГц;
  • GaAs УМ в виде кристаллов 3-64 ГГц;
  • GaAs МШУ 12-64 ГГц; GaAs умножители частоты 10-16 ГГц;
  • GaAs преобразователи частоты вверх/вниз 12,7-34 ГГц;
  • GaAs СВЧ МИС E диапазона 65-92 ГГц;
  • Внутрисогласованные GaAs транзисторы 2-16 ГГц;
  • Несогласованные GaAs транзисторы 2-14,5 ГГц;
  • GaAs FET транзисторы в виде кристаллов;

Малосигнальные изделия

  • Малосигнальные изделия на основе GaAs 2-8 ГГц;

Малошумящие изделия

  • МШУ на основе GaAs 4-12 ГГц.  

Подробно ознакомиться со всей линейкой продукции компании Вы можете на официальном сайте либо в каталоге 2015-2016 года