Япония, 1897 г.

О компании

Многопрофильный концерн Sumitomo Electric Industries (Япония) был основан в 1897 году и в настоящее время имеет оборот в 24 миллиарда долларов США. Одно из подразделений концерна, компания Sumitomo Electric Device Innovations (SEDI), является признанным мировым лидером в области разработки и производства GaN и GaAs транзисторов и устройств на их основе. Вся продукция, а также Know-How таких известных компаний как Fujitsu и Eudyna Devices принадлежат теперь компании SEDI.
Кроме наземной радиолокации и телекоммуникаций компания SEDI адресует свою продукцию и космическим заказчикам. В космосе компания SEDI с 1982 года, когда рынку был представлен GaAs FET с подтвержденной квалификацией качества “space”. Сегодня компания предлагает целую линейку высокочастотных приборов на основе арсенида и нитрида галлия специально для систем радиолокации, а также приема и передачи информации для космических аппаратов любого назначения.
Компания SEDI участвовала в программах GPS, Galileo, Intelsat и многих других. Качество продукции подтверждается Японским Космическим Агентством (JAXA).

Преимущества

Отсутствие экспортных ограничений для поставки в РФ
Полный комплект сопроводительной документации
Возможность доработки изделий из каталога по ТЗ заказчика

Номенклатура изделий

GaN транзисторы для спутниковой и наземной связи 6-15 ГГц
GaN транзисторы для базовых станций 0-3,7 ГГц
GaN транзисторы для радарных применений C/X диапазона
GaN транзисторы для радарных применений L/S диапазона
GaN составные транзисторы для радарных применений 2,9-3,5 ГГц
GaN транзисторы общего назначения 0-3,5 ГГц
GaAs УМ в корпусе 3-30 ГГц
GaAs УМ в виде кристаллов 3-64 ГГц
GaAs МШУ 12-64 ГГц; GaAs умножители частоты 10-16 ГГц
GaAs преобразователи частоты вверх/вниз 12,7-34 ГГц
GaAs СВЧ МИС E диапазона 65-92 ГГц
Внутрисогласованные GaAs транзисторы 2-16 ГГц
Несогласованные GaAs транзисторы 2-14,5 ГГц
Малосигнальные изделия на основе GaAs 2-8 ГГц
МШУ на основе GaAs 4-12 ГГц