Новости

Новый широкополосный GaN транзистор CHK8013-99F от компании UMS
Новый широкополосный GaN транзистор CHK8013-99F от компании UMS

Компания United Monolithic Semiconductors, ведущий европейский производитель СВЧ МИС, в декабре 2019 года представила новое изделие – бескорпусной транзистор, работающий в широкой полосе частот от DC до 10 ГГц.

Транзистор обеспечивает выходную мощность 14 Вт и КПД 70%. Линейный коэффициент усиления составляет 17 дБ, ток потребления при напряжении питания 30 В не более 170 мА. Транзистор можно использовать как в импульсном, так и в постоянном режимах. Изделие несогласованное и требует внешней цепи согласования.

Транзистор разработан с использованием собственного технологического процесса GaN HEMT с топологической нормой 0,25 микрон. Транзистор подходит для различных применений, в том числе для радаров и телекоммуникационного оборудования.

Основные технические характеристики:

  • Рабочий частотный диапазон: DC-10 ГГц;
  • Выходная мощность в режиме насыщения: 14 Вт;
  • КПД: 70%;
  • Линейный коэффициент усиления: 17 дБ;
  • Смещение: от Vd до 30 В;
  • Размеры кристалла: 0,9 х 1,2 х 0,1 мм.

Техническое описание изделия доступно по ссылке: CHK8013-99F.

Компания SD Solutions является квалифицированным поставщиком изделий компании UMS российским заказчикам. Все вопросы по изделиям производства компании UMS Вы можете задать специалистам нашей компании по телефону или электронной почте.