Компания UMS, ведущий европейский производитель СВЧ МИС и поставщик услуг foundry (изготовление кристаллов по топологии заказчика), объявляет о запуске нового технологического процесса GaN HEMT 0.15 микрометров.
Технологический процесс GH15 использует 4-дюймовые пластины на основе карбида кремния (SiC) и идеально подходит для широкого диапазона космических, коммуникационных и иных применений для рабочих частот до 35 ГГц. Технология позволяет изготавливать микросхемы высокой мощности с высокой линейностью и увеличенным КПД. Технологический процесс GH15 демонстрирует высокую плотность мощности до 3,5 Вт/мм при рабочей частоте 30 ГГц и питании 20 В. Библиотека элементов GH15 включает полный набор нелинейных моделей транзисторов для построения УМ и МШУ, диодов Шоттки и переключателей.
Технические характеристики техпроцесса GH15:
• Vt: - 3,2 В;
• Ток насыщения Idss: 1,2 А/мм;
• Ids+: 1,4 А/мм;
• Крутизна характеристики Gm: 390 мС/мм;
• VDS_DC: 20 В;
• Рабочая частота Ft: > 35 ГГц;
• Граничная частота Fmax: > 100 ГГц;
• Плотность емкости MIM: 175 пФ/мм2;
• Металлические резисторы: 30 и 1000 Ом;
• Сквозные отверстия: при толщине подложки 70 мкм.
Технологический процесс GH15 включает MIM конденсаторы, емкости, воздушные мосты, металлические резисторы, сквозные отверстия и два металлических слоя для межслойных соединений. Подробнее с техпроцессом GH15 можно ознакомиться на сайте производителя:
Брошюра по техпроцессу GH15
Брошюра по всем техпроцессам foundry
Расширенная презентация о новом технологическом процессе GH15 доступна по запросу.
Компания SD Solutions является квалифицированным поставщиком изделий и услуг foundry компании UMS российским заказчикам. Все вопросы по изделиям производства компании UMS, а также запросы на дизайн-киты и технические описания Вы можете направить специалистам нашей компании по телефону или электронной почте.