Компания 3D PLUS сообщает, что после 15 летнего периода поставок для космического приборостроения по всему миру модулей памяти типа EEPROM (партномера 3DEExxxxxxxxxx) был инициирован процесс снятия с производства космически квалифицированной линейки изделий EEPROM.
Альтернативной заменой модулей памяти типа EEPROM является магниторезистивная память с произвольным доступом типа MRAM – это высокоскоростная энергонезависимая память с неограниченным ресурсом чтения и записи.
Оба типа памяти EEPROM и MRAM являются памятью с байтовой адресацией с активным низким уровнем управляющего сигнала. Это означает, что оба протокола являются принципиально совместимыми.
В зависимости от применявшихся EEPROM с напряжением питания 3,3 В доступны аналоги MRAM. Детали представлены в таблице. Решение на базе MRAM для замены EEPROM с напряжением питания 5 В не предоставляется, однако, при изменении схемы питания на напряжение 3,3 В могут быть использованы предлагаемые замены MRAM для модулей EEPROM с соответствующей конфигурацией.
Таблица замен партномеров
Примечание 1: Замена 3DEE2M08VS2154 на 3DMR4M08VS4428
Требуется только 2 Мбит. Входные сигналы #CS2 и #CS3 должны быть подключены к VCC через подтягивающий резистор.
Примечание 2: Замена 3DEE4M32VS4162 на 3DMR8M32VS8420
Требуется только 4 Мбит. Входной сигнал #CE1 должен быть подключен к VCC через подтягивающий резистор.
Подробная информация и рекомендации по замене приведены в документах 3DCN-0036-1 и 3300-9621-1.
Прием заказов на модули памяти типа EEPROM завершается 25 октября 2020 года.
С целью пересмотра и идентификации оптимального решения для ваших текущих и будущих потребностей для существующего конструктива следует обратиться к дистрибьютору 3D PLUS или региональному менеджеру по продажам.
Более подробно с данной продукцией Вы можете ознакомиться на сайте производителя 3D PLUS или задать вопрос инженеру нашей компании.